国产光刻机突破速度之快，已经让西方拦不住了。 此前，光刻机巨头阿斯麦CEO曾说过，“美对华出口限制，将推动中国成功研发自己的技术”。 这下，预言成真了。 根据英国金融时报的报道，中芯国际已经在测试由上海初创企业宇量升生产的DUV光刻机。 虽然不是最先进的EUV极紫外光刻机，但是通过多重曝光技术，在极限情况下，可以制造5纳米的芯片。 据报道，中芯国际此次试验的早期结果较为乐观，但目前尚不清楚该机器是否以及何时能用于大规模芯片生产。 但无论如何，这一进展证明了中国在光刻机领域具备了“弯道超车”能力。 众所周知，光刻机作为芯片制造的核心装备，其性能主要由光源波长决定。 目前的主流技术，分为深紫外DUV和极紫外EUV两种。 其中，DUV光刻机采用波长为193纳米的紫外光。 而更先进的EUV光刻机，则将波长缩短至13.5纳米。 波长越短，雕刻出来的电路越精细，芯片的制程也就越短。 此前，如果想要生产5nm芯片，不好意思，要用到阿斯麦EUV光刻机。 这款光刻机，目前来说还是对中国禁售的。 而美国的出口限制，让中国只能获得相对落后的设备。 不过，通过多重曝光技术，也可以使用DUV光刻机制造出5nm芯片。 至于缺点，则会显著增加制造的复杂性和成本。 但是通过华为麒麟芯片的诞生，目前看来国产5nm芯片之路已经打通。 因此，英国金融时报报道的这件事，有很大的概率是真的。 值得一提，上海初创企业宇量升，成立于2022年，由深圳市新凯来技术有限公司与创科微（上海）技术有限公司合资组建。 能在短短几年内开发出可实用的DUV光刻机，这说明我们在精密制造和光学技术方面已经具备了相当的实力。 这意味着美国想要靠科技，锁死中国先进制程的发展能力，已经破灭。 中国不仅没有被锁死，反而另辟蹊径，打造出5纳米全国产产业链。 不仅如此，今后中国在芯片话语权也会更大，再也不用看任何人的脸色。 阿斯麦光刻机，还要依靠美西方各国的先进技术才能制造； 而国产光刻机，凭一己之力就可以横扫它们的后院。 难怪之前美国经济学家大卫·戈德曼认为，芯片战的可能结果是全球出现两条芯片供应链：一条是西方主导，一条是中国主导。 更令美国担心的是，中国芯片布局，在攻克DUV以后，下一步就是EUV光刻机了。 好的消息是，按照华为的规划，2028年Q4的昇腾970可以达到H200的性能，而H200用的制程是4nm工艺，必须使用ASML EUV光刻机制造。 那就意味着最晚到2028年Q2，国产EUV就能上线量产，而且其良率高到足以生产单片面积极大的AI芯片。 瞧见了吧，美西方的制裁，只会逼着中国自主研发生产，成为中国大踏步前进的动力。 虽然目前在先进芯片制程上，中国跟西方还有所差距。 但如果中国把成熟制程吃下来，那么对西方来说，无疑将是重磅炸弹，届时怕要被中国卡脖子了。 中国也要用其人之道，还治其人之身。 封锁吧，封锁个十年八年，中国的一切问题都解决了。 伟人的预言再一次被验证了。 一旦高端芯片全面自主化后，就是我们对美国掀桌子之时。 到那时候，东大会很主动的在军事、经济、金融、全球地缘政治方面，对西大发起全方位进攻。 按照目前的节奏，东风必然压倒西风。