英诺赛科：全球最大量产8英寸GaN IDM企业，进入英伟达提供800VDC电源芯片 [玫瑰]事件：英伟达官网8月1日更新800V直流电源架构合作商名录，英诺赛科是本次入选英伟达合作伙伴中唯一的中国芯片企业。英诺将为800 VDC电源架构在数据中心的规模化应用提供GaN器件。 [咖啡]公司切入本次HVDC新方案，预计新增市场空间11倍。按传统UPS方案，单卡产品价值量在100-150美金，本次新方案价值量将有更大提升，预计新增市场空间可超15e美金。英诺目前属于0-1阶段，2024年全年营收8.28e人民币（约1.2e美金），新增空间11倍以上。 [咖啡]GaN相比SiC器件具有更高电子迁移率，预计可能进入渗透1-10的加速期。GaN能实现更高的开关频率，提高功率密度，在650V电压范围内，GaN的导通电阻乘以栅极电荷较SiC器件提升至少4倍，降低开关损耗和导通损耗。预计GaN的渗透率可能随数据中心的采用而进入加速期，渗透率有望进入1-10阶段。 [咖啡]英诺赛科研发实力强劲，业绩处于高速增长期。公司已能实现GaN晶圆良率达95%以上，预计近3年都将维持业绩高增速：年平均业绩增速预计超60%以上，同时公司正在大力推进汽车电子、数据中心的产品验证和适配，积极看好公司业务的多点开花，业绩的快速提升，利润有望于明年转正。