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国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“一种三维存储器及其制备方法”的专利，公开号CN120568767A，申请日期为2024年02月。专利摘要显示，本公开实施例提供一种三维存储器及其制备方法，所述方法包括...

特朗普这骚操作，长鑫存储、长江存储做梦恐怕都要笑醒：存储芯片这块特大蛋糕，他们原本还要从SK海力士、三星电子、美光虎口夺食，结果特朗普却准备拔了SK海力士、三星电子的几颗虎牙，顺便也一手打掉了美光的某种幻想！此前，中国芯片制造企业的半导体设备和制造材料，早被美国、荷兰、日本、韩国断供了，三星电子、SK海力士的在华晶圆工厂以及台积电的大陆工厂当然也概不例外。作为加快三星电子、台积电在美办厂进度的交换条件，美国曾给予三星电子、SK海力士在华工厂进口美系半导体设备、制造材料免于申请许可证的待遇。而三星电子、SK海力士在华工厂生产的是NAND、DRAM等存储芯片，而不是SOC、MCU等逻辑芯片，更不是HBM（高带宽内存）芯片。在这个背景下，最有利的当属SK海力士、三星电子，也有利的是美系半导体设备、制造材料厂商，于中国对全球芯片供应链地位来说大概也是有益的，不一定有利的却是美光，最不利的自然是作为国产存储芯片逆袭者、替代者的长鑫存储、长江存储们。但凡美国一直给予SK海力士、三星电子在华工厂进口美系半导体设备、制造材料免于额外审核的待遇，那么长鑫存储、长江存储们完全替代SK海力士、三星电子、美光而承受的压力就始终难以轻松。结果，如今一觉又醒，SK海力士、三星电子措手不及，长鑫存储、长江存储们恐怕更是难以置信，特朗普政府竟然#美将撤销三星、SK海力士在华工厂豁免#。这个意思是，如果SK海力士、三星电子在华晶圆工厂需要从美国、荷兰、日本、韩国新增进口美系半导体设备、制造材料，就得向美商务部申请许可，而这个许可能不能给他们，取决于美商务部，而不是荷兰、日本、韩国。这影响的将是什么？但凡SK海力士、三星电子在华晶圆工厂，不再增加新的设备进口，也不增加在华芯片产能，更不搞芯片制造工艺升级，实质性影响可能没那么大，唯一有变数的是SK海力士、三星电子在华晶圆工厂日常生产所需的耗材有可能受到影响。所以，美国此举充其量让SK海力士、三星电子瞻前顾后，患得患失，不再追加对中国投资，但要想SK海力士、三星电子转出在华既有产能，特朗普显然就想多了！原来，SK海力士、三星电子在华存储芯片产量占到了全球内存产量的10%和存储芯片产量的15%，不是SK海力士、三星电子想转出产能就能转出的。一旦SK海力士、三星电子在华晶圆工厂被迫停产，受影响的绝不只是一些中国企业，苹果、谷歌、高通、英伟达、AMD、博通等一大批美国企业也必将被波及到！回头再看，美国此举对中国芯片制造业有影响么？SK海力士、三星电子几乎垄断生产的HBM2、HBM3尤其是HBM4，原本就不在华生产，也是被禁止对华出口，美系半导体设备和先进材料更是不开放给中国芯片制造厂商使用。所以，即使SK海力士、三星电子在华工厂继续享受进口美系半导体设备、先进材料的豁免待遇，中国芯片制造业同行也无法从SK海力士、三星电子学到所谓的芯片制造技术，于中国来说唯一的负面影响是，中国对全球芯片供应链体量有可能因此而暂时削减一点。但恰恰也因为SK海力士、三星电子在华晶圆工厂进口美系半导体设备、先进材料的豁免待遇被取消，长鑫存储、长江存储们想不窃喜都难：此前可能靠喊的国产替代，这下应该不用再喊了，足以坐等中国企业自动抱国产NAND、DRAM、HBM等存储芯片的大腿。而好巧不巧的是，在此之前，长江存储已经让三星电子感受到压力，长鑫存储量产型HBM3芯片更是打破了SK海力士、三星电子、美光的垄断地位。这意味着什么？SK海力士、三星电子固然夜长梦多，但美光可能更笑不起来：特朗普本想限制SK海力士、三星电子在华产能让美光得利，结果却把SK海力士、三星电子在华市场份额打到长鑫存储、长江存储们的怀里！

特朗普这骚操作，长鑫存储、长江存储做梦恐怕都要笑醒：存储芯片这块特大蛋糕，他们原本还要从SK海力士、三星电子、美光虎口夺食，结果特朗普却准备拔了SK海力士、三星电子的几颗虎牙，顺便也一手打掉了美光的某种幻想！此前，中国芯片制造企业的半导体设备和制造材料，早被美国、荷兰、日本、韩国断供了，三星电子、SK海力士的在华晶圆工厂以及台积电的大陆工厂当然也概不例外。作为加快三星电子、台积电在美办厂进度的交换条件，美国曾给予三星电子、SK海力士在华工厂进口美系半导体设备、制造材料免于申请许可证的待遇。而三星电子、SK海力士在华工厂生产的是NAND、DRAM等存储芯片，而不是SOC、MCU等逻辑芯片，更不是HBM（高带宽内存）芯片。在这个背景下，最有利的当属SK海力士、三星电子，也有利的是美系半导体设备、制造材料厂商，于中国对全球芯片供应链地位来说大概也是有益的，不一定有利的却是美光，最不利的自然是作为国产存储芯片逆袭者、替代者的长鑫存储、长江存储们。但凡美国一直给予SK海力士、三星电子在华工厂进口美系半导体设备、制造材料免于额外审核的待遇，那么长鑫存储、长江存储们完全替代SK海力士、三星电子、美光而承受的压力就始终难以轻松。结果，如今一觉又醒，SK海力士、三星电子措手不及，长鑫存储、长江存储们恐怕更是难以置信，特朗普政府竟然#美将撤销三星、SK海力士在华工厂豁免#。这个意思是，如果SK海力士、三星电子在华晶圆工厂需要从美国、荷兰、日本、韩国新增进口美系半导体设备、制造材料，就得向美商务部申请许可，而这个许可能不能给他们，取决于美商务部，而不是荷兰、日本、韩国。这影响的将是什么？但凡SK海力士、三星电子在华晶圆工厂，不再增加新的设备进口，也不增加在华芯片产能，更不搞芯片制造工艺升级，实质性影响可能没那么大，唯一有变数的是SK海力士、三星电子在华晶圆工厂日常生产所需的耗材有可能受到影响。所以，美国此举充其量让SK海力士、三星电子瞻前顾后，患得患失，不再追加对中国投资，但要想SK海力士、三星电子转出在华既有产能，特朗普显然就想多了！原来，SK海力士、三星电子在华存储芯片产量占到了全球内存产量的10%和存储芯片产量的15%，不是SK海力士、三星电子想转出产能就能转出的。一旦SK海力士、三星电子在华晶圆工厂被迫停产，受影响的绝不只是一些中国企业，苹果、谷歌、高通、英伟达、AMD、博通等一大批美国企业也必将被波及到！回头再看，美国此举对中国芯片制造业有影响么？SK海力士、三星电子几乎垄断生产的HBM2、HBM3尤其是HBM4，原本就不在华生产，也是被禁止对华出口，美系半导体设备和先进材料更是不开放给中国芯片制造厂商使用。所以，即使SK海力士、三星电子在华工厂继续享受进口美系半导体设备、先进材料的豁免待遇，中国芯片制造业同行也无法从SK海力士、三星电子学到所谓的芯片制造技术，于中国来说唯一的负面影响是，中国对全球芯片供应链体量有可能因此而暂时削减一点。但恰恰也因为SK海力士、三星电子在华晶圆工厂进口美系半导体设备、先进材料的豁免待遇被取消，长鑫存储、长江存储们想不窃喜都难：此前可能靠喊的国产替代，这下应该不用再喊了，足以坐等中国企业自动抱国产NAND、DRAM、HBM等存储芯片的大腿。而好巧不巧的是，在此之前，长江存储已经让三星电子感受到压力，长鑫存储量产型HBM3芯片更是打破了SK海力士、三星电子、美光的垄断地位。这意味着什么？SK海力士、三星电子固然夜长梦多，但美光可能更笑不起来：特朗普本想限制SK海力士、三星电子在华产能让美光得利，结果却把SK海力士、三星电子在华市场份额打到长鑫存储、长江存储们的怀里！

长江存储官宣，首条全国产化芯片生产线即将试产。当2025年7月长江存储平静宣布“首条100%全国产化芯片生产线将于下半年试产”时，大洋彼岸的某些人恐怕下巴都要惊掉了，这剧本走向，和当初设想的技术窒息可完全不一样。谁能...

上证报中国证券网讯（记者荆淮侨）长江存储8月6日发布消息称，公司晶栈Xtacking4.0创新架构在2025年未来内存与存储峰会(FMS)中荣获3DNAND“最具创新存储技术奖”。据介绍，晶栈Xtacking4.0创新架构具有高密度、高I/O传输速率、...

长江存储首条纯国产芯片制造生产线将于2025年下半年投入试产，主打14nm及以上成熟制程，预计年产15亿片。该芯片生产线虽然生产的不是人工智能芯片，也不是手机芯片，而是存储芯片，但该产线实现了核心设备与材料100%的国产化，...

国产替代加速：长江存储试产背后的资金与订单博弈 长江存储的全国产化产线试产，背后是一场资金与订单的硬仗。国家大基金三期的3440亿元资金已落地，叠加地方产业基金的同步启动，为国产设备厂商提供了前所未有的订单保障。...

据报道，为了减少对外国设备的依赖，长江存储技术有限公司（YMTC）在推动“全国产化”制造设备方面取得了重大突破，首条全国产化的产线将于2025年下半年导入试产。2016年，长江存储在武汉东湖新技术开发区正式注册成立，专注于...

看看华为的超级“孵化”能力，荣耀、长江存储、引望智能成为2024年超级独角兽企业，而这三家企业，都是与华为有着不可或缺的联系，荣耀就不用多说了，那个华为身上的一块肉，只是在关键时刻独立一下。而引望智能则是由华为原...