据闪德资讯获悉，因担忧美国半导体关税政策不确定性，存储下游业者近期提前备货，美系OEM厂已提高个人电脑及手机DRAM、SSD采购，推升第2季为全年供给最为紧俏的季度，并调整下半年DRAM、NAND供需比至98.5%、94.2%，因上游潜在的转嫁关税成本将不利于终端需求。

受到积极备货潮带动，第二季的DRAM和NAND Flash合约价调涨幅度皆较原本预期扩大。

然而，这波涨势的动能可能仅限于第二季。

近期DRAM涨价主因为原厂高阶制程的短期供需错配。

背后原因为包括三星1b制程升级将限制部分上半年伺服器位元出货，及三星尚未通过英伟达认证，且SK海力士与美光分别进行无锡厂制程升级与提高TSV产能以因应HBM3e 12Hi需求，限制DDR5供给，带动相关产品合约价上扬，DDR4同步跟涨。

不过，鉴于原厂制程升级将于下半年完成、HBM3e 12Hi可能在第4季三星加入供货英伟达行列后面临供过于求风险、DDR5 16Gb合约价仍高于生产成本，业内相对不看好下半年DRAM涨价延续力道。

至于NAND Flash，NAND产业的底层修复并未被打断，理由除512Gb TLC合约价仍低于生产成本，意味NAND原厂将持续减产，及原厂OPM处于谷底回升阶段，正是具备充分涨价谈判筹码的时期外，本次周期时空背景不同，原厂相较2023年将更谨慎控产。

从产业结构角度而言，真正驱动NAND产业的下一个结构性因素将是AI生成影音商业化，关税对消费性电子出货的冲击将使复苏递延，但并不意味周期就此反转。

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