突发利好！国产迎突破！我国成功研制国际领先6英寸磷化铟芯片！
从九峰山实验室传来振奋人心的捷报，我国在尖端半导体材料磷化铟（InP）领域取得重大技术突破！实验室成功开发出6英寸磷化铟基探测器和激光器的外延生长工艺，这是我国首次实现大尺寸磷化铟材料从核心装备到关键材料的全流程国产化协同应用，打破国外在高端光电子材料领域的长期垄断。
此次突破不仅填补了国内大尺寸InP材料制备的空白，更实现了从核心装备到关键材料的全链条国产化，标志着中国在高端光电子芯片领域迈出关键一步。
磷化铟是5G通信、光通信、激光雷达等尖端技术的核心材料，此次技术自主可控，将加速国产高端光芯片的产业化进程，助力中国在全球半导体竞争中获得大优势！
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