中国EUV光刻机采用激光诱导放电等离子体（LDP）替代ASML的激光诱导等离子体（LPP）技术，通过高压放电激发锡蒸气产生13.5nm极紫外光。该技术路径更简洁、能耗降低40%，且制造成本显著下降。据外媒Wccftech报道称，国产EUV光刻机将于2025年第三季度进入试生产阶段，由华为、中芯国际等企业参与测试。初期试产目标为每小时生产250片晶圆，良率目标70%，超过ASML同级别设备的195片/小时。如果2025年Q3 EUV试产成功，将重塑全球半导体格局，不过正常量产仍需要3-5年。高端光刻机突破是中国科技的重大突破，EUV量产之时便是中国科技封顶世界之巅之日！
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