领先全球！中国率先发布8寸光电芯片晶圆，超越美国、日本！

我们都知道，现在一般的硅片，都是12英寸的，只有少数几个比较成熟的芯片，才会用到8英寸、6英寸和4英寸。

可以说，随着制程技术的进步，硅晶片的体积也会随之变得更大。然而，随着硅晶片的尺寸越来越大，其制造难度和工艺要求也越来越高。

然而，尽管一般的硅晶片已经可以达到12吋，但是某些特种材质的晶片还停留在四吋、六吋和八吋的阶段。

比如，美国就能做到的铌酸锂晶片，现在的日本，也都在6吋。

什么是铌酸锂薄膜晶圆？它是一种将光信号传输和接收于一体的光电子器件，在滤波器，光通信，量子通讯，航空航天等方面有着非常重要的意义。

然而，铌酸锂晶体较脆，难以大面积制造，目前日本和美国也仅限于6吋制程，业界也在探讨8吋制程技术，看看到底是哪一方走得更远。

近期，全球首个8英寸硅光电膜Nb-酸锂光电集成芯片在湖北下线，标志着中国向该技术迈进了一大步。

本项目拟将8吋 SOI硅片与8吋铌酸锂晶片相组合，形成一种国际领先的硅基化合物太阳能电池整合工艺。

随着5 G、大数据、人工智能等技术的快速发展，光电子器件的研究越来越受到人们的重视，铌酸锂晶体由于具有优异的光学性能，被认为是实现光电子器件的最佳材料。

所以，中国8英寸的铌酸锂晶片在世界范围内批量生产，也预示着中国下一步将以铌酸锂（Nb-酸锂）薄膜为核心的大尺度光电子集成技术，引领行业革命。在光量子计算，大数据中心，人工智能，光学传感等方面发挥重要作用。

当然，8吋的铌酸锂晶片，还只是一条生产线，想要大规模生产，还需要一段时间。但从另一方面来说，我们也可以看到，在这个过程中，随着我们的不断探索，我们一定会在技术上取得突破性的进展，从而带动整个中国的芯片工业，走出一条属于自己的道路，你认为如何？