2024年1月18日，台积电携手工研院宣布成功研发出自旋轨道转矩磁性存储器（SOT-MRAM）阵列芯片，标志着在下一代MRAM存储器技术领域的重大突破。这一创新产品不仅采用了先进的运算架构，而且其功耗仅为同类技术STT-MRAM的1%。这一消息在国际电子元件会议（IEDM）上发布，彰显了台积电在存储芯片领域的技术领先地位。

SOT-MRAM是自旋轨道转矩磁性存储器的最新成果，该技术搭载创新的运算架构，使得其功耗仅为同类技术STT-MRAM的1%。工研院与台积电的合作使得SOT-MRAM在工作速度方面达到10ns，进一步提高了存内运算性能，成功跳出了MRAM主要应用于内存的传统局限。

这一突破性技术的应用领域广泛，特别适用于高性能计算、人工智能、车用芯片等领域。随着AI、5G时代的到来，对更快、更低功耗的新一代存储芯片的需求不断增加，而SOT-MRAM正好迎合了这一趋势，成为应对未来科技挑战的重要利器。

台积电已经成功开发出22纳米、16/12纳米制程的MRAM产品线，并在内存、车用市场获得大量订单。这次SOT-MRAM的推出将进一步巩固台积电在存储芯片领域的市场地位。新款SOT-MRAM内存不仅搭载创新运算架构，更以仅为STT-MRAM的1%的功耗领先同类技术，显示出台积电在磁性存储器技术方面的研发实力和市场竞争力。

不仅如此，工研院与台积电在SOT-MRAM的研发上展现了强大的国际合作精神。相关研究成果在国际电子元件会议（IEDM）上发表，不仅显示了台积电的技术领先，也受到了国际同行的认可。这种国际化的合作有望为该技术在全球范围内的推广和应用提供更为广阔的空间。

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