ASML 此次即将发货的 EXE:5200 是第一代 High NA EUV 光刻机 EXE:5000 的改进款。

第一代NAEUV 光刻机在 2024 年后半年才交付第一台，截至目前可能仅交付 3 台，主要用于 High NA EUV 光刻技术的开发。

而第二代EXE:5200 号称更 “适合大批量生产”，拥有更高的晶圆吞吐量，同时支持更为精细的后 2nm 工艺，这无疑是 ASML 在光刻技术上的又一次重大飞跃。

从技术发展的角度来看，这显示了ASML 在高端光刻机领域持续创新、不断巩固其技术优势的决心。

然而，在ASML 加速技术更新迭代的背后，却隐藏着诸多隐忧。

其中最明显的便是市场需求的变化导致新增订单数量下滑。

ASML 不再公布新增订单数量和金额，这一异常举动背后，是新增光刻机订单数量不及预期的尴尬现实。

从其提前泄露的2024 年第三季度财报来看，新增订单仅为 26 亿欧元，还不到第二季度新增订单金额的一半。

ASML 将此归结为全球半导体行业需求疲软，恢复正常尚需时日。

但实际上，三方协议的限制才是关键因素。

由于协议约束，ASML 不仅无法出货 EUV 光刻机，连主流的 DUV 光刻机也不能自由出货。

中国作为全球最大的芯片消费市场和光刻机需求市场，一旦出货受限，对ASML 的订单量影响巨大。

即便在不能自由出货的情况下，中国市场仍连续多个季度成为ASML 单一最大市场，贡献占比均超过 40%，这足以证明中国市场的重要性以及 ASML 受限后的无奈。

中国市场需求结构的变化，也是ASML 新增订单量下滑的重要原因。

中国国内需要的是能够生产制造7nm 以下工艺芯片的先进 EUV 光刻机和主流 DUV 光刻机，而 ASML 受限制只能出货更早期型号的 DUV 光刻机，这些产品已无法满足中国厂商的需求。

近年来，中国国产光刻机取得了重大突破，成功突破了28nm 工艺，对于成熟工艺、14nm 等工艺的芯片，国产光刻机已经能够胜任。

更为关键的是，在更先进的7nm，甚至 N+1、N+2 等工艺上，国内厂商通过其他技术也实现了突破，例如华为的麒麟 9000s 芯片、麒麟 9010 芯片、麒麟 9020 芯片等，不仅性能先进，跑分超过 130 万，而且华为公开宣布自研芯片具备完全国产能力，每一颗都是 100% 的国产芯片。

这一系列成果表明，中国半导体产业在芯片制造技术上的飞速进步，使得ASML 早期型号的光刻机在中国市场逐渐失去了竞争力。

除了市场需求的变化，中国在光刻机技术领域的突破也给ASML 带来了巨大的压力。

EUV 光刻机最核心的技术之一是极紫外光源技术，哈尔滨工业大学通过 DPP 技术成功突破了 13.5nm 光源技术，与美国企业采用的传统 LPP 技术不同，哈工大通过粒子加速获得紫光，这一创新技术缩短了供应链，为国产 EUV 光刻机的研发带来了曙光。

此外，在双晶工作台、光刻胶、蚀刻机、小芯片封装技术等方面，中国也都取得了显著突破。

这些关键技术的突破，意味着中国在7nm 以下先进芯片国产化的道路上大步迈进，曾经 ASML 所宣称的与中国厂商至少 15 年的差距，如今看来已言过其实。

从全球半导体产业的竞争格局来看，ASML 一直凭借其在 EUV 光刻机技术上的领先地位，成为全球 7nm 以下芯片制造技术的领头羊，全球众多芯片制造厂商都依赖其 EUV 光刻机。

然而，随着中国在光刻机技术和芯片制造技术上的快速崛起，这种格局正在悄然发生改变。

ASML 加速发货第二代 NAEUV 光刻机，一方面是其技术发展的必然结果，另一方面也是为了应对中国厂商的竞争，试图通过技术更新迭代来维持其市场份额和技术优势。

对于中国半导体产业而言，这既是机遇也是挑战。

机遇在于，中国在光刻机技术和芯片制造技术上的突破，为实现芯片国产化提供了坚实的技术支撑，有望打破国外在高端芯片领域的技术垄断，保障国家的信息安全和产业安全。

挑战则在于，尽管取得了一定的突破，但在技术成熟度、生产效率、良品率等方面，与国际先进水平仍存在一定差距，需要进一步加大研发投入，提高技术水平和产业化能力。